场发射显示器环境下不同置向碳纳米管的尖端电场强度计算
任华锋
田昌会
王斌科
屈马林
1.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100512.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100513.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100514.空军工程大学,理学院,陕西,西安,710051
摘要：针对碳纳米管场发射显示器的实际工作环境,计算给出了碳纳米管在垂直、与垂直碳纳米管等长倾斜45°和与垂直碳纳米管等高倾斜45°放置3种情况下的空间电势分布和电场分布, 数值计算表明在上述3种情况下的碳纳米管尖端表面附近的电场强度比值约为13:10:12.进一步分析说明在垂直和倾斜碳纳米管同时存在的情况下,要提高电子发射的均匀性,就必须提高倾斜碳纳米管的高度.
关键词：碳纳米管场发射电场强度
分类号：TN873(无线电设备、电信设备)
资助基金：陕西省自然科学基金(2006F32)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 67-69 )
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