溅射气压对ZnO薄膜生长、发光性能和结构的影响
朱冠芳1
闫明宝1
姚合宝2
高鹏鹏3
1.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100512.西北大学,物理系,陕西,西安,7100693.陕西延长石油(集团)有限责任公司研究院,陕西,西安,710075
摘要：沉积缺陷少、晶粒高度c轴择优生长的ZnO薄膜是制备短波发光器件和压电谐振传感器的关键问题之一.以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备纳米ZnO薄膜,实现了室温下强的紫外受激发射和弱的深能级发射.通过对薄膜表面形貌的观测, 以及对X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)谱的分析,研究了不同溅射气压对ZnO薄膜生长、结构和发光性能的影响.结果显示溅射气压在1.9 Pa-3.5 Pa之间,晶粒直径先增大后减小,在2.6 Pa时晶粒生长到最大;在3.2 Pa时薄膜单一取向性最优,以此推断最佳的溅射气压在2.6 Pa-3.2 Pa之间.实验在玻璃衬底上制备出了XRD衍射峰半高宽仅为0.12°的、高度c轴择优生长的ZnO薄膜.
关键词：ZnO薄膜溅射气压光致发光一维取向
分类号：O472(半导体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(10804130)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 79-82 )
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