Ga~(3+)取代Sc~(3+)对BSPT64高温压电陶瓷的性能影响
杨振
张武森
王斌科
田晓霞
赵静波
屈绍波
1.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100512.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100513.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100514.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100515.空军工程大学,理学院,陕西,西安,7100516.空军工程大学,理学院,陕西,西安,710051
摘要：基于0.36BiScO_3-0.64PbTiO_3(BSPT64)高温压电陶瓷体系, 引入Ga_2O_3并通过传统固相反应法制备了 0.36[BiSc_(1-x)Ga_xO_3]-0.64PbTiO_3(x=0.001、0.003、0.005、0.008、0.01、0.015、0.02)系列压电陶瓷.X射线衍射分析表明Ga~(3+)取代B位的Sc~(3+)不影响BSPT64体系的钙钛矿结构.通过对材料介电和压电性能的研究,发现在取代量x=0.01附近,BGSPT64x陶瓷的各项性能表现最优.BGSPT64-0.01陶瓷的压电常数d_(33)、机电耦合系数kp分别为510 pC/N和61%,剩余极化强度P_r和矫顽场E_c分别为49 μC/cm~2和21 kV/cm.研究表明,BGSPT64-0.01陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.
关键词：BGSPT高居里温度压电陶瓷
分类号：TN384(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(60871027)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 83-86 )
英文信息