空间辐射对CCD器件暗电流的影响研究
侯睿1
赵尚弘1
幺周石2
姜晓峰1
石磊1
李勇军1
占生宝1
1.空军工程大学电讯工程学院,陕西西安,7100772.中国空间技术研究院西安分院,陕西西安,710077
摘要：电荷耦合器件CCD( Charge Coupled Device,CCD)作为卫星光通信系统中光信标子系统的关键部件,它的工作性能直接影响着光通信系统的整体性能.根据Shockley - Read - Hall理论,对粒子辐照条件下CCD器件的暗电流变化进行了深入的理论分析,依据理论分析展开数值模拟计算.结果表明:P沟道CCD辐照后的平均暗电流密度随温度的升高而增加、随辐照注量的提高而增大,暗电流尖峰产生的位置具有强烈的随机特性;温度较粒子辐照注量更能有效影响平均暗电流密度以及暗电流尖峰的产生,温控器件以及温控技术将是决定CCD定位精度的重要环节.
关键词：CCD空间辐射暗电流密度温控技术
分类号：TN929(无线通信)
资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）(863;2007AA01 Z294)中国博士后科学基金(20090461466)陕西省自然科学基金(2009JQ8013)
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 64-68 )
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