烧结温度对CaBi2Nb2O9超高温压电陶瓷结构及性能影响
田晓霞
屈绍波
王斌科
周瑜
1.空军工程大学理学院,陕西西安,7100512.空军工程大学理学院,陕西西安,7100513.空军工程大学理学院,陕西西安,7100514.空军工程大学理学院,陕西西安,710051
摘要：采用传统固相合成法制备了铋层状结构CaBi2Nb2O9压电陶瓷,研究了烧结温度对样品相结构、微观形貌、密度和介电、铁电性能的影响.采用X射线衍射衍射仪、电子扫描电镜、拉曼光谱、介电温谱以及电滞回线对制备陶瓷样品进行表征分析和性能测试.结果表明:所有陶瓷样品的相组成均为纯铋层状结构,晶粒呈棒状,各向异性明显,随着烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,陶瓷密度先变大后变小.固相法制备的CaBi2Nb2O9压电陶瓷的最佳烧结温度为1150℃,介电温谱显示CaBi2Nb2O9陶瓷的居里温度为943℃.
关键词：压电陶瓷微结构介电性能
分类号：TN384(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金资助项目(50632030)国家自然科学基金资助项目(10804130)陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2011JM6012)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 85-89 )
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