电阻阵列红外假目标变换弛豫时间研究
樊帆
田昌会
杨百愚
李均盛
王云飞
穆鑫
田晓霞
1.空军工程大学理学院,西安,7100512.空军工程大学理学院,西安,7100513.空军工程大学理学院,西安,7100514.空军工程大学理学院,西安,7100515.空军工程大学理学院,西安,7100516.空军工程大学理学院,西安,7100517.空军工程大学理学院,西安,710051
摘要：为了获得电阻阵列红外假目标变换的弛豫时间,为提高图样变换速度提出解决思路,通过对不同电阻(丝)的升、降温特性测试和分析指出:常见的电阻中金属膜电阻的升、降温时间最短,时间在30 s左右;2种康铜电阻丝的升、降温时间变化长于金属膜电阻,其中升温增长约22.4％,降温增长约43.9％.被釉电阻与陶瓷绕线电阻升、降温时间较长,均超过了100 s;同一电阻,在不同加热电压下的升、降温时间基本一致;同一电阻其降温时间长于升温时间.实验结果表明:可通过选用质量小、比热容小的电阻及介质材料来降低电阻的升、降温时间,提高电阻元件阵列红外假目标显示屏图样变换速度.
关键词：红外假目标电阻阵列弛豫时间
分类号：TN216(光电子技术、激光技术)
资助基金：国家自然科学基金(21471159)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 51-54 )
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