4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应
刘忠永1
蔡理1
刘保军2
刘小强1
崔焕卿1
杨晓阔1
1.空军工程大学基础部,西安,7100512.空军工程大学航空机务士官学校,河南信阳,464000
摘要：4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)由于N型底部辅助层(NBAL)的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度.利用器件仿真器Atlas建立了器件的二维仿真结构,对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比,随后研究了NBAL浓度变化对4H-SiC半超结VDMOSFET抗SEB能力的影响.结果表明,在相同漏电压下,NBAL导致半超结VDMOSFET在N漂移区/N+衬底结处的电场峰值比超结VDMOSFET的电场峰值降低了27％.超结VDMOSFET的SEB阈值电压(VSEB)为920V,半超结VDMOSFET的VSEB为1 010 V,半超结VDMOSFET的抗SEB能力提升了10％.随着NBAL浓度的逐渐增加,半超结VDMOSFET的抗SEB能力先增强后减弱,存在一个最优的NBAL浓度使其抗SEB能力最好.
关键词：4H-SiC垂直双扩散MOSFET半超结单粒子烧毁
分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)TN406(微电子学、集成电路（IC）)
资助基金：国家自然科学基金(11405270)
论文发表日期：2018-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 95-100 )
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