二极管选型对能量选择表面天线罩的性能影响
李安淇
吴雄斌
徐一昊
周永金
上海大学通信与信息工程学院特种光纤与光接入网重点实验室,上海,200444
摘要：能量选择表面技术主要通过周期结构加载非线性器件可自适应实现对高功率入射波的非线性响应,即"低通高阻".以二极管选型对能量选择表面天线罩性能的影响为研究目的,首先,通过注入实验评估不同型号二极管在高功率信号输入时的功率毁伤阈值,并进行相应的毁伤测试分析,实验结果表明:当输入功率达到 47 dBm时,BAP65 二极管内部电流过载引发热失控,导致毁伤;其次,选择 4 种不同型号的二极管评估它们对能量选择表面天线罩的插入损耗和屏蔽效能的影响,实验结果表明:在 0.75～0.9 GHz,加载MMP4401 二极管的能量选择表面具有低于 0.5 dB的插入损耗和大于 15 dB的屏蔽效能.此外,双管并联的能量选择表面表现出较好的屏蔽效果,而单管则具有更低的插入损耗.
关键词：能量选择表面高功率微波PIN二极管毁伤阈值
分类号：TN820(无线电设备、电信设备)TN312(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(61971469)
论文发表日期：2024-06-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 12-16 )
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