高温热退火方法制备纳米硅量子点薄膜材料

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高温热退火方法制备纳米硅量子点薄膜材料

单丹

扬州工业职业技术学院电气信息工程学院江苏扬州 225007

摘要：通过等离子体增强化学气相沉积方法制备氢化非晶硅薄膜,薄膜的厚度约为200nm,再通过高温热退火处理形成致密度较好的、晶化率较高的、晶粒尺寸均匀的纳米硅量子点薄膜.

关键词：等离子体高温热退火纳米硅量子点薄膜

分类号：TM23(电工材料)

论文发表日期：2015-01-01

在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）

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科技经济导刊

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年,卷(期)：2015,(7)

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