关于提高多晶硅片转换效率的研究
黄志平
衢州职业技术学院 浙江 衢州324000
摘要：多晶硅片受到自身缺陷的限制,转换效率明显低于单晶硅片.为了提高多晶硅片转换效率,通过改造多晶铸锭炉热场结构,调整相关工艺参数,改变传统晶体生长方向,控制整个晶体生长过程,实现凸形固液界面,增大单晶晶粒尺寸,减少单张硅片中杂质对少子寿命的影响,以提高转换效率,同时可降低能耗,最终实现进一步降低成本的目的.
关键词：多晶铸锭炉固液界面少子寿命转换效率
分类号：O7(晶体学)
资助基金：关于提高多晶硅片转换效率的研究(QZYY1312)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 5-6 )