晶体管微波大信号模型的研究
陈辉
西南民族大学电气信息工程学院 四川成都610000
摘要：在微波功率器件中,晶体管微波大信号的研究,一直是人们关注的问题.本文就对GaAs HEMT大信号进行研究.首先建立了GaAs HEMT的大信号等效电路模型,对其中最重要的非线性元件Ids、Cgs、Cgd建立了理论模型,进行了模拟结果与实验数据的比较,得到了较为满意的结果.最后根据提取出的参数,建立一种新的参数模型.该方法对设计MMIC有着很好的参考价值.
关键词：砷化镓模型金属半导体场效应管
分类号：O471.4(半导体物理学)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
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