直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述
刘丁
赵小国
赵跃
1.西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心,陕西西安,7100482.西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心,陕西西安,7100483.西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心,陕西西安,710048
摘要：硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.本文针对直拉法电子级硅单晶生长过程,以晶体生长基本原理为基础,从生长建模、变量检测、控制方法等方面进行了全面的阐述,特别针对当今大尺寸、高品质硅单晶生长的要求,总结了目前所取得的主要研究成果与面临的问题,并提出了相应的研究思路和方法.
关键词：直拉硅单晶过程建模变量检测过程控制控制策略
分类号：TP273(自动化技术及设备)
资助基金：国家自然科学基金重点项目(61533014)国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2014CB360508)陕西省科技统筹创新工程计划(2016 KTZDGY-03-03)Supported by Key Program of National Natural Science Foundation of China(61533014)National Basic Research Program of China(2014CB 360508)Shaanxi Science&Technology Co-ordination&Innovation Project(2016KTZDGY-03-03)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：12( 1-12 )
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