增强型GaN器件动态导通电阻的分数阶等效建模
金鸿
陈曦
张赟宁
邾玢鑫
黄悦华
三峡大学电气与新能源学院,湖北宜昌 443002;三峡大学智慧能源技术湖北省工程研究中心,湖北宜昌 443002
摘要：增强型GaN器件在漏源极之间承受高电压应力时存在电子俘获效应,对器件的动态导通电阻具有影响.为精确简洁地描述此现象,提出一种改进钳位电路的测试平台对器件进行实验测量.在此基础上,根据器件电子俘获效应随捕获时间而改变的"长尾分布规律"与分数阶微积分运算时间相关"记忆效应"的关联,提出一种基于分数阶等效阻抗的建模方法,并利用差分进化算法辨识模型参数.研究结果表明,所提改进测量方案能够消除传统方案测量过程中电压尖峰现象对测量结果的影响,所建立的分数阶等效阻抗模型能够较为准确地表征增强型GaN器件动态导通电阻的变化规律,所提模型参数变化规律具有一致性,其中分数阶阶次随器件漏源极之间偏置电压的增加而减小,证实所提模型能够从工作机理层面反映器件特性与参数变化规律.
关键词：GaN器件导通电阻电子俘获分数阶微积分
论文发表日期：2025-06-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 1152-1159 )
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