Si(100)衬底上取向生长La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜
梁宝龙1
张丽2
赵昆1
1.聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城,2520592.聊城大学,山东,聊城,252059
摘要：利用对向靶磁控溅射方法在Φ60 mm Si(100)衬底上得到了择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜.当沉积温度为500℃时,在40 nm缓冲层SrMnO3上,La0.8Sr0.2MnO3薄膜沿(110)取向生长.提高沉积温度到750℃时,厚度为12 nm的SrMnO3缓冲层就可以实现La0.8Sr0.2MnO3薄膜的(110)取向择优生长.
关键词：薄膜缓冲层取向生长
分类号：O484.1(固体物理学)
资助基金：山东省教育厅项目(03A05)国家自然科学基金(50371102)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 29-30 )
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