Zn0.5Cd0.5S∶Eu3+半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究
刘建秀
张大凤
蒲锡鹏
1.聊城大学材料科学与工程学院,山东聊城,2520592.聊城大学材料科学与工程学院,山东聊城,2520593.聊城大学材料科学与工程学院,山东聊城,252059
摘要：以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3+半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3+半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)对样品进行了表征.结果表明:Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3+半导体材料的发光性能为最强.
关键词：Zn0.5Cd0.5S∶Eu3+燃烧法发光性
分类号：O644(物理化学（理论化学）、化学物理学)
资助基金：国家自然科学基金(51002069)创新基金(SF2013032)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 56-59 )
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