Ag 的掺杂量对 Zn0．5Cd0．5S/Ag 半导体材料光催化性能的影响
刘建秀
张彤彤
张大凤
蒲锡鹏
1.聊城大学 材料科学与工程学院,山东 聊城,2520592.聊城大学 材料科学与工程学院,山东 聊城,2520593.聊城大学 材料科学与工程学院,山东 聊城,2520594.聊城大学 材料科学与工程学院,山东 聊城,252059
摘要：采用燃烧法制备了Zn0．5 Cd0．5 S／Ag半导体材料．利用X‐射线粉末衍射仪（XRD），扫描电子显微镜（SEM ），荧光分光光度计（PL）以及紫外‐可见分光光度计（UV‐vis）对所制备得到的样品进行了表征．研究了Ag的掺杂量对Zn0．5 Cd0．5 S／Ag半导体材料的结构、形貌、发光性能和光催化效果的影响．结果表明，Ag的掺杂量对样品的形貌基本没有影响，但是对样品的结构、发光性能以和光催化效果有着显著地影响．研究表明：随着Ag掺杂量的增加，半导体材料中出现了AgS杂相；另外，样品的发光强度逐渐降低；而当Ag的掺杂量为0．1时，所制备的Zn0．5 Cd0．5 S／Ag半导体材料对亚甲基蓝溶液（MB）的光催化效果最好．
关键词：Zn0 .5 Cd0 .5 S/Ag燃烧法荧光性能光催化性能
分类号：O644(物理化学（理论化学）、化学物理学)
资助基金：国家自然科学基金(51002069)聊城大学科研基金项目(318011319)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 34-36,87 )
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