全薄膜电致变色器件gIass／ITO／NiOx／ZrO2∶H／WO3／ITO中单层膜的表征及器件的光学性能
宋兴旺1
董国波2
刘齐荣3
刁训刚4
1.北京航空航天大学 能源与动力学院,北京,1001912.北京航空航天大学 物理科学与核能工程学院,北京,1001913.北京航空航天大学 物理科学与核能工程学院，北京 100191; 布鲁塞尔自由大学 大气等离子体实验室 CHANI，布鲁塞尔 B-10504.北京航空航天大学 能源与动力学院，北京 100191; 北京航空航天大学 物理科学与核能工程学院，北京 100191
摘要：采用磁控溅射法制备了glass／ITO／NiOx／ZrO2：H／WO3／ITO全薄膜电致变色器件，并对单层膜的结构及性能进行了研究．器件中NiO x 、ZrO2：H和WO3各单层薄膜的SEM、XRD以及XPS的测试结果表明：NiO x 薄膜表面颗粒之间有孔隙存在，这些空隙有利于 H＋的嵌入和脱出；而ZrO2：H薄膜和WO3薄膜的表面粗糙，颗粒度较小，这样的表面形貌有利于电致变色反应的发生．采用紫外‐可见光分光光度计对器件的光学性能及循环寿命进行研究，器件经历60000次连续着褪色循环后，着色响应时间明显迟缓，褪色响应时间变化不显著，在可见光范围内的透过率调节范围仍可以达到57．9％，表明该器件具有良好的可见光调制性能和较长的循环寿命，初步达到了商业化应用的要求．
关键词：磁控溅射全薄膜电致变色器件透过率
分类号：TK-9(能源与动力工程)
资助基金：北京市高等学校青年英才计划(YETP1139)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 23-27 )
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