量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响
李玉强
刘超
柴永灏
牛萍娟
于莉媛
宁平凡
1.天津工业大学 电气工程与自动化学院、天津市电工电能新技术重点实验室 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津,3003872.天津工业大学 电气工程与自动化学院、天津市电工电能新技术重点实验室 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津,3003873.天津工业大学 电气工程与自动化学院、天津市电工电能新技术重点实验室 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津,3003874.天津工业大学 电气工程与自动化学院、天津市电工电能新技术重点实验室 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津,3003875.天津工业大学 电气工程与自动化学院、天津市电工电能新技术重点实验室 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津,3003876.天津工业大学 电气工程与自动化学院、天津市电工电能新技术重点实验室 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津,300387
摘要：GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.
关键词：大功率AlGaInPLED俄歇复合载流子溢出
分类号：TN383+.1(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(11605145)天津市自然科学基金(18JCQNJC03700)天津市自然科学基金(15JCQNJC41800)天津市教委科研项目(2018KJ210)天津市教委科研项目(2017ZD06)天津市教委科研项目(2018ZD15)吉林大学超硬材料国家重点实验室开放基金(201709)
论文发表日期：2018-10-01
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 37-41 )
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