Ho:Sc2SiO5可饱和吸收体被动Q开关Tm:YAlO3激光器
白冰1
祝贝贝1
张斌1
薛喻宸1
杨晓涛2
李立1
1.哈尔滨工程大学物理与光电工程学院、纤维集成光学教育部重点实验室,黑龙江哈尔滨1500012.哈尔滨工程大学动力与能源工程学院,黑龙江哈尔滨150001
摘要：报道Ho:Sc2SiO5(Ho:SSO)晶体作为一种新型可饱和吸收体用于被动Q开关Tm:YAlO3(Tm:YAP)固体激光器.在793 nm激光二极管端面泵浦下,Ho:SSO被动Q开关Tm:YAP激光器产生稳定的微秒脉冲输出,发射激光波长为1.88μm.实验获得了130 m W的最大平均功率和5.2μJ的单脉冲能量输出,脉冲宽度为1.87μs,重复频率为25 kHz.通过引入声光调制器,设计搭建了基于Ho:SSO晶体混合调Q的Tm:YAP激光器,有效压缩了脉冲宽度至百纳秒量级.实验获得了最小213 ns的脉冲宽度,且在4 kHz重复频率下最大单脉冲能量达到34μJ,这项工作表明了新型Ho:SSO晶体作为1.9 mm波段可饱和吸收体的实际应用潜力.
关键词：Ho:SSO晶体Tm:YAP激光器被动Q开关混合调Q
分类号：O441.4(电磁学、电动力学)
资助基金：国家自然科学基金(61875043)
论文发表日期：2020-10-28
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 38-43,65 )
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