寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响
张永刚1
宁平凡1
刘婕2
王迪迪2
肖宁如3
李玉强1
1.天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津 300387;天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300387;天津工业大学 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津 3003872.天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津 300387;天津工业大学 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津 3003873.天津工业大学 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津 300387
摘要：SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段.在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,导致并联电流难以实现均衡.为分析导致电流不均衡现象的影响因素,本文采用CREE公司官网所提供的spice模型搭建了相关仿真测试电路.基于数据手册中所提供的器件参数,分别对寄生电容和寄生电感等参数进行差异化设置,利用PSpice软件进行仿真.分析了在负载电压为600 V时,不同寄生参数对动态和静态电流不均衡的影响程度.最后设计了一种基于阻抗平衡联合磁芯电感的方法对并联SiC MOSFET动静态电流不均衡进行抑制,有效抑制了并联SiC MOS-FET电流不均衡现象的发生.
关键词：寄生电感寄生电容并联SiC MOSFET电流不均衡
分类号：TN32(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(11804249)天津市教委科研项目(2018ZD15)天津市教委科研项目(2018KJ210)
论文发表日期：2021-10-28
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 8-14 )
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