碳化硅与氮化硼协同增强PVDF电介质材料的设计与性能研究
张婷婷
李雨凡
赵天浩
王振
毕雪庆
李玉超
聊城大学 材料科学与工程学院 山东 聊城 252059
摘要：分别将碳化硅(SiC)和氮化硼(BN)与聚偏氟乙烯(PVDF)配制成两种高分子溶液,然后交替涂膜制备具有三明治结构的复合电介质薄膜.利用XRD和FESEM表征了复合电介质薄膜的结构及微观形貌,重点研究了复合材料的介电和储能特性.研究表明,在100 Hz下,复合材料(S4B1S4)的介电常数提高至16.4,介电损耗仅为0.05,同时击穿强度高达114.3 kV/mm.相比于纯的PVDF(介电常数9.9,损耗0.04,击穿强度93 kV/mm),储能密度提高了250％.
关键词：PVDF复合材料三明治结构介电性能储能密度
分类号：TB332(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(52177020)山东省自然科学基金(ZR2019MB053)聊城大学大创基金项目(CXCY2020Y010)聊城大学大创基金项目(CXCY2021109)
论文发表日期：2022-10-28
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 42-47 )
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