面向6G通信的SnSe2薄膜太赫兹波探测器
彭忠泽1
高飞龙2
阮振宇1
张敏1
宋琦3
张丙元2
1.深圳大学广东省/教育部光电子器件与系统重点实验室,物理与光电工程学院,广东深圳 5180602.聊城大学物理科学与信息工程学院,山东聊城 2520593.深圳大学广东省/教育部光电子器件与系统重点实验室,物理与光电工程学院,广东深圳 518060;聊城大学物理科学与信息工程学院,山东聊城 252059
摘要：第六代通信(6G)技术以其宽带宽、高速传播、保密性强等优势成为了通信技术的发展方向,并计划于2028年商用.然而,由于6G波段电磁波的光子能量较低而在室温下缺乏高效的探测手段,这也成了制约6G技术发展的因素之一.近年来,低带隙纳米材料的发展,为太赫兹波检测提供了一种低成本、高灵敏度的探测手段.对大面积、高灵敏度的薄膜太赫兹波探测器进行研究,同时引入532 nm激光和强垂直磁场进行调控,研究了外场作用下的探测性能变化,得到了外场对太赫兹波的探测效果具有极其显著的提升.因此,少层和多层SnSe2薄膜在外场调控下对于太赫兹波探测有明显的提升作用,这一研究也证明了,外场调控下的SnSe2薄膜对6G探测技术的发展具有重要意义.
关键词：6G通信技术SnSe2薄膜太赫兹波探测器
分类号：TN241(光电子技术、激光技术)
资助基金：国家自然科学基金(12104314)
论文发表日期：2024-06-28
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 14-21 )
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