Ga2O3:Cr3+多中心到单中心发射以及光谱可调的实现
夏成龙
陈煜辉
曾炳阳
杨佳慧
李玲
王治国
刘晓光
湖北大学 化学化工学院、有机功能分子合成与应用教育部重点实验室,湖北 武汉 430062
摘要：近红外光在农业、医药和无损检测等领域具有广泛应用,但是绝大多数近红外光源存在发光效率低和半高宽窄的问题.为此,通过高温固相法,在不同温度下成功制备了一系列不同浓度Cr3+掺杂的以β-Ga2O3为主要基质的近红外荧光粉.在700℃下合成的Ga2O3:Cr3+可以实现奇特的从350 nm到800 nm的宽带双中心发射.当合成温度为800～1 100℃时,Ga2O3:Cr3+主要表现为近红外区的宽带发射,并且Ga2O3:Cr3+的发射光谱随着合成温度的升高出现了从770 nm到730 nm蓝移现象.通过主族元素替换,用In3+替换Ga3+实现了Ga2O3:Cr3+光谱从764 nm到810 nm的红移,用Al3+替换Ga3+发现其半高宽逐渐增加.同时,采用格位占据理论说明了Cr3+优先占据具有八面体的Ga2格位.
关键词：光致发光近红外发光光谱调节格位占据
分类号：O74(晶体化学)
资助基金：国家自然科学基金(22273019)
论文发表日期：2024-12-28
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：10( 29-38 )
英文信息