近紫外GaN基量子阱结构的局域和极化效应
武智波1
贺龙飞2
吴宗豪1
徐明升1
王成新3
徐现刚1
冀子武1
1.山东大学集成电路学院,新一代半导体材料研究院,山东济南 2501002.广东省科学院半导体研究所,广东 广州 5106503.山东浪潮华光光电子股份有限公司,山东潍坊 261061
摘要：在具有蓝宝石衬底的AlN模板上外延生长了近紫外In0.01Ga0.99N/Al0.15Ga0.85N多量子阱结构,对其荧光(PL)特性进行了测量.结果显示,该结构的PL峰位能量和线宽的温度行为分别呈"S"形(降低-增加-降低)和"W"形(变窄-变宽-变窄-变宽),而其激发功率行为则分别呈"N"形(增加-降低-增加)和"V"形(变窄-变宽).这些行为表明了该量子阱结构中载流子复合发光的局域特征和量子限制斯塔克效应的库伦屏蔽效应.前者被归因于阱厚起伏所导致的阱层内的势起伏,而后者则被归因于阱/垒晶格失配所诱发的极化电场.此外,该结构的积分P L强度的温度行为也证实了其阱层内局域深度的非均一性.
关键词：近紫外LEDGaN基多量子阱光致发光局域效应量子限制斯塔克效应
分类号：TN23(光电子技术、激光技术)TB34(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(52272157)国家自然科学基金(51872167)广州市基础研究计划(202201010679)
论文发表日期：2025-04-27
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 218-223 )
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