应力释放对InGaN/GaN量子阱有源区发光特性的影响机制
郭一庸1
武智波1
徐昊一2
李长富2
高渊3
冀子武1
1.山东大学 集成电路学院,山东 济南 2501002.泰山学院 物理与电子工程学院,山东 泰安 2710213.山东大学 集成电路学院,山东 济南 250100;中国电子科技集团公司 第十三研究所,河北 石家庄 050051
摘要：制备了两个不同的绿光InGaN/GaN量子阱(QW)结构(具有和不具有应力释放层),研究了其电致发光(EL)的注入电流依赖性和光致发光(PL)的温度依赖性.EL测量结果显示,与不具有应力释放层的QW结构(S1)相比,具有应力释放层的QW结构(S2)有一个较强的EL强度、显著的能量红移和一个较小的效率下垂;而PL测量结果则显示了S2比S1有更少的非辐射中心、更大的活化能和更高的内量子效率.这些结果表明,应力释放层的导入不仅缓解了有源区的应力、增加了In原子的并入,还提高了其有源区的结构质量、增强了其局域效果,同时降低了其电子泄露.这一解释得到了高分辨率X射线衍射测量结果的证实,结果显示S2比S1有更低的位错密度和更好的结构/结晶质量.
关键词：InGaN/GaN量子阱应力释放层电致发光光致发光效率下垂内量子效率
分类号：TB34(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(52272157)国家自然科学基金(51872167)
论文发表日期：2026-04-25
在线出版日期：2026-08-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 249-254 )
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