La2 O3掺杂对BaBi4 Ti4 O15陶瓷压电性能的影响
杨兴化
黄金亮
顾永军
汪潇
崔春伟
1.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,4710032.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,4710033.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,4710034.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,4710035.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003
摘要：采用传统固相烧结工艺制备了La掺杂量分别为0,0.1,0.25,0.5 mol的BaBi4Ti4O15 (BBT) 压电陶瓷.通过SEM和XRD分析了BBT陶瓷的表面形貌和物相结构;用介电常数测试仪(LCR)和准静态d33测试仪分别测量了陶瓷的介电常数,介电损耗和压电常数.结果表明:A位La掺杂并未改变BBT陶瓷的晶体结构; 虽然随着La掺杂量的增加(从0～0.5 mol),陶瓷的烧结温度有所提高(从1120℃提高到1150℃),然而它拓宽了BBT陶瓷的烧结温区(从20℃提高到50℃),并细化了陶瓷晶粒; La掺杂量为0.1时,BBLT陶瓷的压电常数比未掺杂的陶瓷增大了将近一倍(13pC/N),同时,与其它掺杂量的BBLT陶瓷相比,该掺杂量的BBLT陶瓷具有同频率下最大的介电常数及最小的介电损耗.
关键词：钛酸铋钡陶瓷固相烧结La掺杂压电常数
分类号：TQ174.758.2(硅酸盐工业)
资助基金：河南省杰出青年基金项目(074100510008)河南科技大学青年基金项目(2004QN011)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 4-6,24 )
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