利用金刚石纳米粉引晶方法制备高硼掺杂金刚石薄膜
杨传径1
陈庆东1
杜凯1
高春晓2
刘才龙2
1.河南科技大学,理学院,河南,洛阳,4710032.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012
摘要：利用金刚石纳米粉引晶方法在SiO2衬底上合成了高硼掺杂金刚石薄膜,并利用范德堡法、扫描电镜、激光拉曼方法对不同掺杂量下生长的样品进行了表征.SEM和拉曼谱分析表明,少量掺杂时有利于提高金刚石薄膜的质量,但是随着掺杂量的增加,金刚石薄膜质量开始明显下降;并且拉曼谱峰在500 cm-1和1200 cm-1开始加强,呈现重掺杂金刚石薄膜的典型特征.其电导率随着温度升高而升高,表明导电性质为半导体导电.
关键词：热丝CVD纳米引晶掺杂金刚石薄膜
分类号：TB43(工业通用技术与设备)
资助基金：国家自然科学基金(40473034)
论文发表日期：2009-05-02
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 15-17,22 )
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