镀锡铜箔表面小丘和晶须的生长行为
徐春花
郭卫华
覃信茂
1.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,4710032.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,4710033.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003
摘要：在电子产品的封装互连中,镀锡铜元件引脚随时间延长,有锡晶须形成,从而引发电子器件短路,甚至造成电子系统失效.本文针对镀锡铜箔表面的小丘和晶须的生长行为进行研究.首先,用化学镀在铜箔表面镀锡.将镀锡铜箔样品在100 ℃和200 ℃空气中时效8 d,为了便于分析实验结果,将另一组镀锡铜箔样品在室温时效30 d.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,用X射线衍射仪对试样进行晶体结构分析.结果表明:样品在100 ℃时效有小丘和晶须形成,而在200 ℃时效8 d和在室温时效30 d没有晶须形成.晶须生长是由镀层内部存在的压应力梯度引起的,并有一个孕育期.随时效温度的变化,原子扩散速度和镀层的应力松弛不同控制了小丘和晶须的形成.
关键词：镀锡晶须金属间化合物压应力
分类号：TG146.1(金属学与热处理)
资助基金：国家自然科学基金(10831165504)河南省教育厅自然科学研究项目(2010A430006)
论文发表日期：2010-09-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 1-3,7 )
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