Ni2 O3掺杂对 SnO2-Zn2 SnO4复合陶瓷电学性质的影响
周锋子
王丹丹
王晓飞
臧国忠
1.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳,4710232.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳,4710233.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳,4710234.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳,471023
摘要：采用传统陶瓷工艺制备了 Ni2 O3掺杂的 SnO2-Zn2 SnO4复合陶瓷，并测试了样品的压敏性质和介电频谱。压敏性质测试结果表明：随着 Ni2 O3掺杂量的增加，样品的非线性系数先减小后增大，压敏电压先升高后降低。当掺杂0．45％ mol Ni2 O3时，样品的非线性系数最小值为3．8，压敏电压最高值为63 V ／mm。介电频谱显示：随着测试频率的增加，所有样品的相对介电常数εr 均明显降低。低频下，样品的相对介电常数随着 Ni2 O3掺杂量的增加先减小再增大。当不掺杂 Ni2 O3，测试频率为40 Hz 时，样品的相对介电常数达7000左右，而其介电损耗却为最低值。Ni2 O3掺杂引起 SnO2-Zn2 SnO4复合陶瓷微观结构改变，从而使其压敏性质和介电性质改变。
关键词：压敏陶瓷微观结构非线性系数压敏电压
分类号：TM28(电工材料)
资助基金：国家自然科学基金(11504090)科研培育基金(2015GJB014)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 7-10 )