氧分压对NiO薄膜特性的影响
王致远
高玉涛
冯镇南
赵洋
王辉
1.河南科技大学物理工程学院,河南洛阳471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳4710232.河南科技大学物理工程学院,河南洛阳471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳4710233.河南科技大学物理工程学院,河南洛阳471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳4710234.河南科技大学物理工程学院,河南洛阳471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳4710235.河南科技大学物理工程学院,河南洛阳471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳471023
摘要：采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜机在蓝宝石衬底上制备了NiO薄膜.通过X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、霍尔(Hall)测试,研究了氧分压对NiO薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性的影响.研究结果表明:NiO薄膜具有单一的(111)衍射峰.当氧分压为60％时,NiO薄膜具有较好的结晶性能.随着氧分压的升高,NiO薄膜表面逐渐变光滑.由(αhv)2-hv,曲线得到NiO薄膜的禁带宽度为3.60 ～3.77 eV.所有NiO薄膜都具有良好的p型导电特性,空穴载流子浓度为5.45×1017～2.16×1019 cm-3.
关键词：NiO磁控溅射氧分压p型半导体材料薄膜特性
分类号：TB43(工业通用技术与设备)
资助基金：国家自然科学基金(61674052)国家自然科学基金(11404097)河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP;2017164,2017165)
论文发表日期：2019-03-02
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 96-99 )