溅射功率对氧化镓薄膜特性的影响
付宏远
张猛
张宝萍
赵洋
王辉
1.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳471023;河南科技大学 河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳4710232.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳471023;河南科技大学 河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳4710233.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳471023;河南科技大学 河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳4710234.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳471023;河南科技大学 河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳4710235.河南科技大学 物理工程学院,河南 洛阳471023;河南科技大学 河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳471023
摘要：采用JGP300型超高真空磁控溅射镀膜设备,在蓝宝石和硅片衬底上制备了一系列氧化镓(Ga2 O3)透明半导体薄膜.分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计(UV-2700),对其晶体结构、表面形貌和光学特性进行了测试.研究结果表明:提高溅射功率有利于Ga2 O3薄膜结晶质量的提高,但溅射功率过高则会影响Ga2O3薄膜的结晶质量.Ga2O3(401)衍射峰占据明显优势,溅射功率为100 W时,Ga2 O3薄膜结晶质量最好.随着溅射功率的升高,Ga2 O3薄膜的平均晶粒尺寸与粗糙度均呈现先增大后减小的趋势.Ga2 O3薄膜的透射率随着溅射功率的增加而增大,溅射功率为120 W时,透射率最高.Ga2 O3薄膜的禁带宽度随着溅射功率的增加而减小.
关键词：氧化镓磁控溅射功率结构特性光学特性
分类号：TB43(工业通用技术与设备)
资助基金：国家自然科学基金(61674052)国家自然科学基金(11404097)河南省高等学校重点科研项目(20A140012)河南省高校省级大学生创新创业训练计划项目(SRTP;S201910464024)河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP;2019208)河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划项目(SRTP;WLSRTP201910)
论文发表日期：2021-02-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 95-99 )