添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷微波介电性能的影响
王奇峰
李谦
顾永军
高顺
李丽华
黄金亮
河南科技大学 材料科学与工程学院, 河南 洛阳 471023
摘要：针对Zr0.8 Sn0.2 TiO4微波介质陶瓷烧结温度高和介质损耗大等问题,以ZnO、NiO、La2 O3和Nb2 O5为添加剂,在同一试验条件下,制备了复合方式不同的Zr0.8 Sn0.2 TiO4,并对其物相组成、烧结行为、微观形貌和微波介电性能等进行了研究.研究结果表明:当添加w(ZnO)=1％,w(NiO)=0.2％,w(Nb2 O5)=1％并经1350℃烧结3 h,可获得微波介电性能优异的Zr0.8 Sn0.2 TiO4陶瓷(相对介电常数εr=38,品质因数Qf=45898 GHz,谐振频率温度系数τf=-2.2×10-6℃-1),此时其相对密度为98.6％.与无添加剂的Zr0.8Sn0.2TiO4相比,烧结温度明显降低,Qf值得到显著提升.ZnO与NiO可以降低Zr0.8 Sn0.2 TiO4的烧结温度,NiO和Nb2 O5可以增大Qf值.
关键词：Zr0.8Sn0.2TiO4微波介质陶瓷介电性能掺杂
分类号：TQ174.1(硅酸盐工业)
资助基金：国家自然科学基金(51332003-1)河南省自然科学基金(162300410088)
论文发表日期：2021-10-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 14-18 )