溅射功率及退火处理对Ga2O3薄膜特性的影响
尹传磊
刘佳鑫
赵洋
河南科技大学物理工程学院,河南 洛阳 471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳 471023
摘要：采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2 O3薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响.研究结果表明:当溅射功率为90 W时,Ga2 O3薄膜的(-402)衍射峰最强,薄膜结晶质量最好.退火后Ga2 O3薄膜的结晶度均有所加强.随着溅射功率的增加,Ga2 O3薄膜变得均匀致密,但溅射功率过高反而影响成膜质量.Ga2 O3薄膜吸收边在250 nm附近,在Ga2 O3可见光区域透过率可达85％以上,且在450～500 nm处接近100％.退火处理可以进一步提高薄膜的透过率.Ga2 O3薄膜的禁带宽度随溅射功率的提高而减小,分布在4.8～5.0 eV,且退火后禁带宽度整体减小.这表明退火处理使得大部分Ga2 O3转化为最稳定的 β相.
关键词：Ga2O3磁控溅射溅射功率退火处理
分类号：TB43(工业通用技术与设备)
资助基金：国家自然科学基金(61674052)国家自然科学基金(11404097)河南省优秀青年科学基金项目(212300410041)河南省高等学校青年骨干教师培养对象项目(2018GGJS054)河南省科技攻关项目(212102210223)河南省高等学校重点科研项目(20A140012)河南科技大学大学生研究训练计划项目(SRTP;2020180,2020187)
论文发表日期：2022-04-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 92-98 )