功率变换器中PowerMOSFET功率损耗的数学分析及计算
黄菲菲
中国矿业大学信电学院,江苏徐州,221008
摘要：为改善中、低压电力电子设备中开关器件的性能，给出了一种功率变换器的PowerMOS·FET开关电路模型。其PowerMOSFET的功率损耗主要由导通损耗和开关损耗构成，由此推导了功率变换器主电路中PowerMOSFET的损耗计算公式，并根据实验波形的计算，得到PowerMOS—FET的功率损耗。得到的计算结果表明：当开关频率较大时，开关损耗是PowerMOSFET功率损耗的主要部分。
关键词：PowerMOSFET开关电路功率损耗功率变换器
分类号：TP212(自动化技术及设备)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 59-61,66 )
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