Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜
孙振翠
原所佳
孙海波
1.山东交通学院数理系,山东 济南,2500232.山东交通学院数理系,山东 济南,2500233.山东交通学院数理系,山东 济南,250023
摘要：采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜.用红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和荧光光谱(PL)对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜.同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长.
关键词：Ga2O3薄膜GaN薄膜射频磁控溅射
分类号：TN304(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(90301002)山东交通学院资金资助项目(Z2005003)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 41-45 )
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