氢对(FeCo)xGe1-x磁性半导体结构成分及价态影响
裴娟
张芹
原所佳
孙振翠
刘栋
山东交通学院 理学院,山东 济南,250357
摘要：利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩(Ar)气氛中分别制备(FeCo)xGe1-x-H和(FeCo)xGe1-x磁性半导体薄膜.对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对(FeCo)x Ge1-x-H的非晶结构没有影响;红外光谱测量结果显示,与氢钝化Si的悬挂键不同,氢没有钝化Ge的悬挂键;X光电子能谱测量结果表明,(FeCo)0.70Ge0.30-H和(FeCo)0.70Ge0.30薄膜中的(FeCo)与Ge的相对原子比值与样品制备时设定的比值一致,(FeCo)0.70Ge0.30-H薄膜中Fe、Co和Ge元素的能谱峰位置与(FeCo)0.70Ge0.30薄膜中对应元素的能谱峰位置基本一致,原因可能是Fe(Co)原子和H原子之间结合能化学位移很小,XPS仪器分辨率较低,因而未被检测出来.
关键词：磁性半导体(FeCo)xGe1-x-H薄膜磁控溅射
分类号：TN304.7(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(11904394)
论文发表日期：2019-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 78-82 )
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