结型场效应晶体管的主要参数的探讨

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DOI: 10.3969/j.issn.1672-9528.2002.02.026

结型场效应晶体管的主要参数的探讨

王克亮

闫萍

郭晓丽

1.济南半导体元件实验所,2500132.济南半导体元件实验所,2500133.济南半导体元件实验所,250013

摘要：本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数,找出影响它们的主要因素.

关键词：结型场效应晶体管夹断电压饱和电流沟道电阻击穿电压跨导频率

分类号：TN3(半导体技术)

论文发表日期：2002-01-01

在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）

页数：2( 40-41 )

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山东电子

ISSN：1672-9528

年,卷(期)：2002,(2)

所属栏目：半导体与器件技术