Si基Al/ZnO/Ag肖特基二极管的研制及其光电特性
秦海英
王婷
宋迎新
宋传利
1.济南市半导体元件实验所 山东济南 2500142.济南市半导体元件实验所 山东济南 2500143.济南市半导体元件实验所 山东济南 2500144.济南市半导体元件实验所 山东济南 250014
摘要：ZnO薄膜是以Si作为基底，利用射频磁控溅射和高温度退火技术制备而成的。分析ZnO薄膜结构特征时，使用X射线衍射显示ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向；用电子显微镜扫描样品，表面光洁、平整。在制备ZnO薄膜工艺条件下，在石英玻璃基底上制备Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器。对该器件进行电流测试显示：在室温下，Ag与ZnO已经形成肖特基接触，Al/ZnO/Ag肖特基二极管探测器具有明显的光电响应特性。
关键词：Al/ZnO/Ag肖特基二极管制备光电特性
论文发表日期：2013-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 55-58 )
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