低强度半导体激光对脑缺血再灌注大鼠IL-6的影响
解建波
276003,山东省临沂市人民医院神经内科
摘要：目的观察低强度半导体激光(LISCL)疗法对脑缺血再灌注大鼠IL-6的影响.方法应用LISCL经腹腔辐照治疗线栓法所制作的大鼠脑缺血再灌注模型,采用免疫组织化学方法检测脑组织儿-6的变化.结果(1)IL-6在正常神经元与胶质细胞仅有少量表达,缺血再灌注6 h IL-6表达较正常神经元稍增多,但无统计学意义(P＞0.05),12 h开始在梗死周围区增高,第3天显著增强,以后逐渐下降.(2)LISCL治疗后与对照组比较,IL-6表达明显降低(P＜0.01).结论LISCL治疗可显著抑制缺血损伤区IL-6过度表达,减轻脑组织的损伤.
关键词：白细胞介素6半导体激光脑缺血再灌注
分类号：R338(人体生理学)
论文发表日期：2001-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 24-26 )
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