杂质对(CdSe)m/(ZnSe)n应变半导体材料的影响
王际超1
张国英2
刘贵立3
1.沈阳工业大学,教务处,辽宁沈阳,1100232.沈阳工业大学,电子工程系,辽宁沈阳,1100323.沈阳工业大学,建筑工程素,辽宁沈阳,110023
摘要：采用T.B-recursion方法,计算(CdSe)m/(ZnSe)n超田格应变半导体材料的总态密度、局域态密度和分波态密度.论述了Al、Na、Cl、P等杂质及应变对(CdSe)m/(ZnSe)n超晶格应变半导体的影响,并分析了相应状态下的要质能级.由此得出一些对新材料研究有重要参考价值的结论.
关键词：应变态度密杂质能级超晶格
分类号：TN304.22(半导体技术)
论文发表日期：1999-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
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