PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计
孙承松1
张丽娟1
陈桂梅2
袁凯2
1.沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,1100232.东北微电子研究所,沈阳,110032
摘要：介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.
关键词：Ni-Cr电阻熔丝可编程只读存储器集成电路设计
分类号：TN710(基本电子电路)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 315-317 )
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