ONO反熔丝的研究
孙承松
张丽娟
李新
1.沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,1100232.沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,1100233.沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,110023
摘要：反熔丝器件广泛地应用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中.介绍了多晶硅/ONO(氧化层-氮化物-氧化层)/多晶硅结构的反熔丝.描述了半导体技术制造反熔丝的工艺流程和工艺条件.未编程的反熔丝表现为电容特性,电阻即off-state电阻较大;经高电压编程的反熔丝即onstate电阻阻值较低.高压编程过的反熔丝的上下导电层短路(阻值在几十欧姆范围内),形成电流通路.研究中采用生长氧化层-氮化-生长氧化层的方法形成ONO结构.试验数据表明:ONO结构反熔丝介质漏电低于1×10-14A,稳定性高,在较大温度范围内on-state电阻变化小.反熔丝编程电压在15V以下.
关键词：反熔丝氧化层/氮化物/氧化层电阻编程电压稳定性
分类号：TN3(半导体技术)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 546-548 )
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