单壁碳纳米管场发射尖端电势模拟计算
郭连权
韩东
马贺
刘嘉慧
宋开颜
武鹤楠
王帅
1.沈阳工业大学,理学院,沈阳,1101782.沈阳工业大学,理学院,沈阳,1101783.沈阳工业大学,理学院,沈阳,1101784.沈阳工业大学,理学院,沈阳,1101785.沈阳工业大学,理学院,沈阳,1101786.沈阳工业大学,理学院,沈阳,1101787.沈阳工业大学,理学院,沈阳,110178
摘要：以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电势进行了模拟计算,发现在碳纳米管尖端附近,随着径向距离和轴向距离的增加,电势迅速增加;而离碳纳米管尖端较远的区域,随着径向距离和轴向距离的增加.电势增加缓慢直至为常数(即无碳纳米管时的背景场电势).说明了碳纳米管产生的激发场为极强的小范围的局域场.该结果为单壁碳纳米管做场发射材料提供了有益的理论参考.
关键词：单壁碳纳米管场发射电势模拟计算
分类号：O73(晶体物理)O799(应用晶体学)
资助基金：沈阳工业大学博士基金资助项目(521101302)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 429-432 )
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