自蔓延制备氮化硅粉体的生长机理
乔瑞庆
汪方文
1.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,1101782.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,110178
摘要：针对自蔓延制备氮化硅过程迅速,但可控性差的问题,研究了氮化硅晶粒在自蔓延中的生长过程及一些特殊形状晶粒形成的原因.通过设计累积试验、借助扫描电镜观察粉体形貌、讨论分析氮化硅α相和β相形成机理说明,颗粒有限长大是生长和分解达到平衡后实现的,波浪形和凹面状颗粒是晶粒在类似液相烧结和固相烧结共同作用下产生的,"树杈"状颗粒是β相氮化硅在氮化硅"籽晶"上生长和液相烧结作用下形成的.研究表明,要减小自蔓延制备氮化硅粉体的粒度、阻碍颗粒异常长大,需要合理控制稀释剂比例,降低反应温度.
关键词：氮化硅自蔓延稀释剂形成机理长大方式
分类号：TB174.1(工程基础科学)
论文发表日期：2009-03-02
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 186-190 )
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