晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算
郭连权1
刘嘉慧2
宋开颜1
张金虎1
马贺1
武鹤楠1
李大业1
1.沈阳工业大学理学院,沈阳,1101782.沈阳工业大学基础教育学院,沈阳,110178
摘要：针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV.该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.
关键词：晶体Si半导体能带禁带宽度密度泛函第一性原理赝势Abinit软件
分类号：O73(晶体物理)O799(应用晶体学)
资助基金：辽宁省自然科学基金(20062040)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 296-298,305 )
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