脉冲偏压对铝合金上TiN膜生长的影响
宋贵宏
张硕
娄茁
李锋
陈立佳
1.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,1108702.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,1108703.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,1108704.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,1108705.沈阳工业大学,材料科学与工程学院,沈阳,110870
摘要：为了研究在铝合金上硬质膜的性能,促进硬质TiN膜在铝合金构件上的应用,利用电弧离子镀在7075铝合金上沉积TiN膜层,并通过改变脉冲偏压幅值研究其对薄膜生长过程的影响.结果表明,生长的TiN膜具有柱状特征,在无偏压或低偏压时,柱状特征明显,但随着负偏压值的增大,柱状特征变得不明显,膜层中Ti和N的原子比率增加,由无偏压、低偏压时近似为1.0增加到-200V偏压时的1.2.在0～-200 V偏压范围内,沉积膜的平均生长速率由1.5 μm/h增加到11.3 μm/h.随着负偏压的增加,TiN膜的(111)方向的择优取向越来越明显,而(200)方向强度越来越小.沉积膜呈柱状生长,具有明显的择优取向,其程度受脉冲偏压影响.
关键词：TiN膜铝合金衬底脉冲偏压薄膜生长择优取向柱状特征硬质膜结合强度
分类号：TP391.9(计算技术、计算机技术)
资助基金：辽宁省科委博士科研启动基金资助项目(20041022)辽宁省教育厅科研资助项目(2004F006)
论文发表日期：2010-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
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