一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计
胡荣
何尚平
罗小青
1.南昌大学 科学技术学院,南昌,3300292.南昌大学 科学技术学院,南昌,3300293.南昌大学 科学技术学院,南昌,330029
摘要：为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 mV电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 pF,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.
关键词：模拟集成电路CMOSAB类放大器转换速率低电压低功耗单位增益频率相位裕度电阻负载
分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)
资助基金：江西省教育厅科学技术研究项目(151503)江西省教育厅科学技术研究项目(151496)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 680-685 )
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