AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算
李志杰
王晓艳
田鸣
张旭东
杨林
1.沈阳工业大学 理学院,沈阳,1108702.沈阳工业大学 理学院,沈阳,1108703.沈阳工业大学 理学院,沈阳,1108704.沈阳工业大学 理学院,沈阳,1108705.沈阳工业大学 理学院,沈阳,110870
摘要：为了制备均匀的宏观AlN纳米线阵列,采用化学气相沉积法在二次模板上成功地合成了AlN纳米线宏观阵列.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子能谱仪和紫外可见光光度仪测试了AlN纳米线阵列的结构、形貌和紫外发光性能.结果表明,AlN纳米线阵列分布均匀,AlN纳米线的平均直径与平均长度分别约为41 nm和1.8μm.AlN纳米线的分布密度约为5.4×107 mm-2,其覆盖率约为7.1％.AlN纳米线在150～310 nm范围内具有很好的吸光性能.利用第一原理计算得到的AlN纳米线光学性质与实验结果相符.
关键词：氮化铝PS球纳米线阵列半导体化学气相沉积扫描电子显微镜第一原理紫外吸收
分类号：TB332(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(21571132)辽宁省自然科学基金(20170540670)
论文发表日期：2019-09-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 506-510 )
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