长脉冲激光诱导单晶硅产生等离子体特性
郭明1
张永祥2
1.吉林工程技术师范学院 量子信息技术交叉学科研究院;吉林工程技术师范学院 吉林省量子信息技术工程实验室,长春1300522.长春理工大学光电信息学院 机电工程分院,长春130114
摘要：针对毫秒脉冲激光诱导单晶硅产生等离子体演化规律,利用光学阴影成像法研究单晶硅燃烧波膨胀过程,分析不同时刻等离子体状态,采用双端口光谱仪分析等离子体光谱,计算等离子体的主要特征参数.结果表明:随着激光能量密度的增加,燃烧波膨胀距离和膨胀速度增大,径向膨胀速度小于轴向膨胀速度;等离子体主要在单晶硅表面附近加速最大;等离子体膨胀时,观察到长脉冲特有的喷溅现象;激光能量密度在337.0～659.7 J/cm2之间时,电子温度量级为104 K,等离子体电子温度、电子密度随激光能量密度增加而增加.
关键词：长脉冲激光单晶硅等离子体光学阴影法电子密度电子温度光谱
分类号：TJ01(一般性问题)
资助基金：国家自然科学基金(61905089)吉林省教育厅十三五科学技术项目(JJKH20190765KJ)吉林工程技术师范学院博士科研启动经费专项(BSKJ201824)国家自然科学基金(XYB201819)
论文发表日期：2020-07-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 423-426 )
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