4H-SiC基MPS二极管迅回效应分析
保玉璠
汪再兴
彭华溢
李尧
兰州交通大学 电子与信息工程学院,甘肃 兰州 730070
摘要：为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究.采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度 3 个方面进行讨论.提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处于转折与折回电压时漂移区内空穴的分布,进而细化研究该效应的产生过程机理.仿真结果表明,增加P+区的掺杂浓度与宽度可以有效抑制迅回效应,较高的漂移区掺杂浓度会增加器件在单极工作模式下的电流密度,但同时增大转折电压可使迅回效应加剧,适当减小漂移区掺杂浓度可以抑制迅回效应.
关键词：混合肖特基/PIN(MPS)二极管迅回效应抗浪涌电流能力载流子分布双极模式电导调制效应大注入效应掺杂浓度
分类号：TN311.7(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(61905102)甘肃省科技厅计划项目(21JR7RA320)甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058)
论文发表日期：2023-11-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 697-703 )
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